臺(tái)積電(TSMC)將在2納米制程節(jié)點(diǎn)首次引入全柵極場效應(yīng)晶體管(GAAFET),并結(jié)合NanoFlex技術(shù),為芯片設(shè)計(jì)師提供更多的標(biāo)準(zhǔn)元件選擇。與現(xiàn)有的N3E工藝相比,N2工藝在相同功率下預(yù)計(jì)性能提升10%至15%,或在相同頻率下功耗降低25%至30%,同時(shí)晶體管密度增加15%。

臺(tái)積電2nm工藝漲價(jià)趨勢:晶圓成本或突破3萬美元大關(guān)

據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電每片300毫米的2納米晶圓價(jià)格可能超過3萬美元,高于之前預(yù)估的2.5萬美元。目前,3納米晶圓價(jià)格約為1.85萬至2萬美元,而4/5納米晶圓則在1.5萬到1.6萬美元之間。因此,2納米晶圓價(jià)格顯然會(huì)顯著上漲。需要注意的是,臺(tái)積電的報(bào)價(jià)受到多種因素影響,包括客戶類型和訂單量,一些客戶可能享有優(yōu)惠,因此3萬美元只是一個(gè)大致估算。

為了滿足市場對(duì)2納米技術(shù)的強(qiáng)烈需求,臺(tái)積電正在加大對(duì)該制程節(jié)點(diǎn)的投資。2納米晶圓廠將位于臺(tái)灣北部(新竹寶山)、中部(臺(tái)中中科)和南部(高雄楠梓)。新工藝將增加極紫外光刻步驟,并可能采用雙重曝光,這無疑會(huì)使成本高于3納米制程。

臺(tái)積電計(jì)劃在2025年下半年開始批量生產(chǎn)N2工藝芯片,客戶最早可在2026年收到首批產(chǎn)品。蘋果預(yù)計(jì)將成為首個(gè)采用該技術(shù)的客戶。